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CSD17313Q2 是 Texas Instruments 推出的 单 FET,MOSFET(分立半导体 类),隶属于 NexFET™ 系列。核心规格包括 FET 类型 N 通道、技术 MOSFET(金属氧化物)、漏源电压(Vdss) 30 V、25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5A(Tc)。该器件常见于 开关电源与适配器、电机驱动与变频器 等应用场景,源庄电子提供该型号的原装现货 支持订货、小批量采购与 BOM 一键配单,紧缺或停产料可协助全球渠道调货。
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss) | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A(Tc) |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 3V,8V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 30 毫欧 @ 4A,8V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 2.7 nC @ 4.5 V |
| Vgs(最大值) | +10V,-8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 340 pF @ 15 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散(最大值) | 2.3W(Ta) |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 等级 | - |
| 资质 | - |
| 安装方式 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 6-WSON(2x2) |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 祼焊盘 |
开关电源
电机驱动
电池管理
汽车电子
工业控制
更多行业场景 · 定制选型 →选 MOSFET 先看 Vds 与 Id 额定,再确认 Rds(on)、Qg(栅极电荷)与 Vgs(th),开关应用关注米勒平台与反向恢复,同步整流关注体二极管特性。
该型号当前按原装订货执行(订货 · 4-6 周),同时接受现货询价,客服可实时核对渠道库存;支持小批量起订,具体交期与数量以正式报价为准。
本页已收录 CSD17313Q2(单 FET,MOSFET / 分立半导体)的 18 项技术参数(含 FET 类型 N 通道、技术 MOSFET(金属氧化物)、漏源电压(Vdss) 30 V)并附规格书下载;如仍缺少您关注的参数,可提供需求清单,客服按原厂规格书人工核对后回复。
订货型号订货 · 4-6 周(海外原厂渠道);紧缺或停产料视渠道情况 1–4 周不等,客服可协助跨渠道调货,以正式报价为准。
本页已列出同系列相近规格的替代物料:Texas Instruments CSD25310Q2、Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K361NU,LF、Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J507NU,LF、Texas Instruments CSD85301Q2 等。也可联系客服按您的具体要求精准推荐。
主要规格包括 FET 类型 N 通道、技术 MOSFET(金属氧化物)、漏源电压(Vdss) 30 V,详见本页参数表与规格书。
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