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CSD17381F4 单 FET,MOSFET

Texas Instruments · MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR;表面贴装型 N 通道 30 V 3.1A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR(1x0.60)
原装现货 支持订货 小批量可接 BOM配单 紧缺料找货 订货 · 4-6 周 状态:在售
CSD17381F4 单 FET,MOSFET
¥ 4 参考单价(¥),批量价另议,最终以订货报价为准
品牌Texas Instruments
封装/外壳卷带(TR)
系列NexFET™
最低起订3000 pcs
参考库存8,145 pcs(可订货)
交期订货 · 4-6 周
零件状态在售
类别分立半导体 / 单 FET,MOSFET
CSD17381F4规格书下载 询价 / 配单

注:库存与价格随原厂/渠道波动,本站展示为参考信息,实际以正式报价单为准。停产/紧缺料我们可协助全球渠道调货。

型号解读

CSD17381F4 是 Texas Instruments 推出的 单 FET,MOSFET(分立半导体 类),隶属于 NexFET™ 系列。核心规格包括 FET 类型 N 通道、技术 MOSFET(金属氧化物)、漏源电压(Vdss) 30 V、25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.1A(Ta)。该器件常见于 开关电源与适配器、电机驱动与变频器 等应用场景,源庄电子提供该型号的原装现货 支持订货、小批量采购与 BOM 一键配单,紧缺或停产料可协助全球渠道调货。

电气参数 / 规格

FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3.1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)109 毫欧 @ 500mA,8A
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)1.35 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)195 pF @ 15 V
FET 功能-
功率耗散(最大值)500mW(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
等级-
资质-
安装方式表面贴装型
供应商器件封装3-PICOSTAR(1x0.60)
封装/外壳3-XFDFN

应用场景

选型指南 / 应用方案

选 MOSFET 先看 Vds 与 Id 额定,再确认 Rds(on)、Qg(栅极电荷)与 Vgs(th),开关应用关注米勒平台与反向恢复,同步整流关注体二极管特性。

常见问答(FAQ)

CSD17381F4 有现货吗?最小起订量多少?

该型号当前按原装订货执行(订货 · 4-6 周),同时接受现货询价,客服可实时核对渠道库存;支持小批量起订,具体交期与数量以正式报价为准。

CSD17381F4 的参数资料不齐怎么办?

本页已收录 CSD17381F4(单 FET,MOSFET / 分立半导体)的 18 项技术参数(含 FET 类型 N 通道、技术 MOSFET(金属氧化物)、漏源电压(Vdss) 30 V)并附规格书下载;如仍缺少您关注的参数,可提供需求清单,客服按原厂规格书人工核对后回复。

CSD17381F4 的交期多久?

订货型号订货 · 4-6 周(海外原厂渠道);紧缺或停产料视渠道情况 1–4 周不等,客服可协助跨渠道调货,以正式报价为准。

CSD17381F4 有哪些同参数替代型号?

本页已列出同系列相近规格的替代物料:Texas Instruments CSD13381F4、Texas Instruments CSD23382F4、Diodes Incorporated DMN2300UFB4-7B、Diodes Incorporated DMP21D0UFB4-7B 等。也可联系客服按您的具体要求精准推荐。

CSD17381F4 的关键规格参数是什么?

主要规格包括 FET 类型 N 通道、技术 MOSFET(金属氧化物)、漏源电压(Vdss) 30 V,详见本页参数表与规格书。

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提交即代表同意我们就此次询价与您联系。信息仅用于报价,不对外公开。

本页型号参数、规格书与参考价整理自原厂(制造商)公开规格书及官方公开数据;技术参数以原厂最新规格书为准,价格与库存以实际询价为准。

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