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注：库存与价格随原厂/渠道波动，本站展示为参考信息，实际以正式报价单为准。停产/紧缺料我们可协助全球渠道调货。
STGD6M65DF2 是 STMicroelectronics 推出的 单 IGBT（分立半导体 类），隶属于 M 系列。核心规格包括 IGBT 类型 沟槽型场截止、电压 - 集射极击穿（最大值） 650 V、电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 12 A、电流 - 集电极脉冲 (Icm) 24 A。该器件常见于 开关电源与适配器、电机驱动与变频器 等应用场景，源庄电子提供该型号的原装现货 支持订货、小批量采购与 BOM 一键配单，紧缺或停产料可协助全球渠道调货。
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 12 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 24 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2V @ 15V，6A |
| 功率 - 最大值 | 88 W |
| 开关能量 | 36µJ（导通），200µJ（关断） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 21.2 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 15ns/90ns |
| 测试条件 | 400V，6A，22 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 140 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装方式 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | DPAK |
变频器
新能源逆变
电机驱动
电焊机
车载电源
更多行业场景 · 定制选型 →选 IGBT 先看 Vces 与 Ic 额定，再确认 Vce(sat)、开关损耗与栅极驱动，电机/逆变关注短路耐受与反向并联二极管，模块关注热阻与并联均流。
该型号当前按原装订货执行（订货 · 4-6 周），同时接受现货询价，客服可实时核对渠道库存；支持小批量起订，具体交期与数量以正式报价为准。
本页已收录 STGD6M65DF2（单 IGBT / 分立半导体）的 16 项技术参数（含 IGBT 类型 沟槽型场截止、电压 - 集射极击穿（最大值） 650 V、电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 12 A）并附规格书下载；如仍缺少您关注的参数，可提供需求清单，客服按原厂规格书人工核对后回复。
订货型号订货 · 4-6 周（海外原厂渠道）；紧缺或停产料视渠道情况 1–4 周不等，客服可协助跨渠道调货，以正式报价为准。
本页已列出同系列相近规格的替代物料：STMicroelectronics STGD4M65DF2、Infineon Technologies IGD06N60TATMA1、STMicroelectronics STGD5H60DF、Rohm Semiconductor RGT16BM65DTL 等。也可联系客服按您的具体要求精准推荐。
主要规格包括 IGBT 类型 沟槽型场截止、电压 - 集射极击穿（最大值） 650 V、电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 12 A，详见本页参数表与规格书。
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