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注：库存与价格随原厂/渠道波动，本站展示为参考信息，实际以正式报价单为准。停产/紧缺料我们可协助全球渠道调货。
STGD10HF60KD 是 STMicroelectronics 推出的 IGBT（分立半导体 类），隶属于 - 系列。核心规格包括 IGBT 类型 -、电压 - 集射极击穿（最大值） 600 V、电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 18 A、电流 - 集电极脉冲 (Icm) 30 A。该器件常见于 开关电源与适配器、电机驱动与变频器 等应用场景，源庄电子提供该型号的原装现货 支持订货、小批量采购与 BOM 一键配单，紧缺或停产料可协助全球渠道调货。
| IGBT 类型 | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 18 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 30 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.75V @ 15V，5A |
| 功率 - 最大值 | 62.5 W |
| 开关能量 | 45µJ（导通），105µJ（关断） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 23 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 9.5ns/87ns |
| 测试条件 | 400V，5A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 50 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 等级 | 汽车级 |
| 资质 | AEC-Q101 |
| 安装方式 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | DPAK |
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更多行业场景 · 定制选型 →选分立器件先看电压/电流额定、开关速度与封装散热，MOSFET/IGBT 关注 Rds(on) 与 Vgs，二极管关注反向耐压与恢复时间。
该型号当前按原装订货执行（订货 · 4-6 周），同时接受现货询价，客服可实时核对渠道库存；支持小批量起订，具体交期与数量以正式报价为准。
本页已收录 STGD10HF60KD（IGBT / 分立半导体）的 18 项技术参数（含 IGBT 类型 -、电压 - 集射极击穿（最大值） 600 V、电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 18 A）并附规格书下载；如仍缺少您关注的参数，可提供需求清单，客服按原厂规格书人工核对后回复。
订货型号订货 · 4-6 周（海外原厂渠道）；紧缺或停产料视渠道情况 1–4 周不等，客服可协助跨渠道调货，以正式报价为准。
本页已列出同系列相近规格的替代物料：STMicroelectronics STGD8NC60KDT4、STMicroelectronics STGD10NC60KDT4、onsemi FGD3245G2-F085V、Bourns Inc. BIDD05N60T 等。也可联系客服按您的具体要求精准推荐。
主要规格包括 IGBT 类型 -、电压 - 集射极击穿（最大值） 600 V、电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 18 A，详见本页参数表与规格书。
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