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注：库存与价格随原厂/渠道波动，本站展示为参考信息，实际以正式报价单为准。停产/紧缺料我们可协助全球渠道调货。
MMBZ16VALT1G 是 onsemi 推出的 齐纳二极管阵列（分立半导体 类），隶属于 MMBZxxxALT1G 系列。核心规格包括 配置 1 对共阳极、电压 - 齐纳（标称值）(Vz) 16 V、容差 ±5%、功率 - 最大值 300 mW。该器件常见于 开关电源与适配器、电机驱动与变频器 等应用场景，源庄电子提供该型号的原装现货 支持订货、小批量采购与 BOM 一键配单，紧缺或停产料可协助全球渠道调货。
| 配置 | 1 对共阳极 |
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 16 V |
| 容差 | ±5% |
| 功率 - 最大值 | 300 mW |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50 nA @ 13 V |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900 mV @ 10 mA |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 等级 | - |
| 资质 | - |
| 安装方式 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
开关电源与适配器
电机驱动与变频器
新能源与车载功率
工业控制与配电
消费电子与家电
更多行业场景 · 定制选型 →选分立器件先看电压/电流额定、开关速度与封装散热，MOSFET/IGBT 关注 Rds(on) 与 Vgs，二极管关注反向耐压与恢复时间。
该型号当前按原装订货执行（订货 · 4-6 周），同时接受现货询价，客服可实时核对渠道库存；支持小批量起订，具体交期与数量以正式报价为准。
本页已收录 MMBZ16VALT1G（齐纳二极管阵列 / 分立半导体）的 12 项技术参数（含 配置 1 对共阳极、电压 - 齐纳（标称值）(Vz) 16 V、容差 ±5%）并附规格书下载；如仍缺少您关注的参数，可提供需求清单，客服按原厂规格书人工核对后回复。
订货型号订货 · 4-6 周（海外原厂渠道）；紧缺或停产料视渠道情况 1–4 周不等，客服可协助跨渠道调货，以正式报价为准。
本页已列出同系列相近规格的替代物料：onsemi SZMMBZ16VALT1G、onsemi SZMMBZ16VTALT1G、Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C16-E3-08、Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C6V8-E3-08 等。也可联系客服按您的具体要求精准推荐。
主要规格包括 配置 1 对共阳极、电压 - 齐纳（标称值）(Vz) 16 V、容差 ±5%，详见本页参数表与规格书。
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