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注：库存与价格随原厂/渠道波动，本站展示为参考信息，实际以正式报价单为准。停产/紧缺料我们可协助全球渠道调货。
JFE2140DR 是 Texas Instruments 推出的 JFET（分立半导体 类），隶属于 - 系列。核心规格包括 FET 类型 2 N-通道（双）、电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 40 V、漏源电压（Vdss） 40 V、漏极电流 (Id) - 最大值 50 mA。该器件常见于 开关电源与适配器、电机驱动与变频器 等应用场景，源庄电子提供该型号的原装现货 支持订货、小批量采购与 BOM 一键配单，紧缺或停产料可协助全球渠道调货。
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 40 V |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 漏极电流 (Id) - 最大值 | 50 mA |
| 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) | 1.5 V @ 0.1 µA |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 13pF @ 5V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装方式 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
开关电源与适配器
电机驱动与变频器
新能源与车载功率
工业控制与配电
消费电子与家电
更多行业场景 · 定制选型 →选分立器件先看电压/电流额定、开关速度与封装散热，MOSFET/IGBT 关注 Rds(on) 与 Vgs，二极管关注反向耐压与恢复时间。
该型号当前按原装订货执行（订货 · 4-6 周），同时接受现货询价，客服可实时核对渠道库存；支持小批量起订，具体交期与数量以正式报价为准。
本页已收录 JFE2140DR（JFET / 分立半导体）的 10 项技术参数（含 FET 类型 2 N-通道（双）、电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 40 V、漏源电压（Vdss） 40 V）并附规格书下载；如仍缺少您关注的参数，可提供需求清单，客服按原厂规格书人工核对后回复。
订货型号订货 · 4-6 周（海外原厂渠道）；紧缺或停产料视渠道情况 1–4 周不等，客服可协助跨渠道调货，以正式报价为准。
本页已列出同系列相近规格的替代物料：Texas Instruments CSD88537ND、Linear Integrated Systems, Inc. SST406 SOIC 8L-TR、Linear Integrated Systems, Inc. SST406 SOIC 8L-TB、Diodes Incorporated DMC3025LSD-13 等。也可联系客服按您的具体要求精准推荐。
主要规格包括 FET 类型 2 N-通道（双）、电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 40 V、漏源电压（Vdss） 40 V，详见本页参数表与规格书。
稳定的海外现货与订货渠道，原装正品溯源，紧缺料号也能帮您想办法。
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