注:库存与价格随原厂/渠道波动,本站展示为参考信息,实际以正式报价单为准。停产/紧缺料我们可协助全球渠道调货。
IMX25T110 是 Rohm Semiconductor 推出的 双极晶体管阵列(分立半导体 类),隶属于 - 系列。核心规格包括 晶体管类型 2 NPN(双)、电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 300mA、电压 - 集射极击穿(最大值) 20V、不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) 100mV @ 3mA,30mA。该器件常见于 开关电源与适配器、电机驱动与变频器 等应用场景,源庄电子提供该型号的原装现货 支持订货、小批量采购与 BOM 一键配单,紧缺或停产料可协助全球渠道调货。
| 晶体管类型 | 2 NPN(双) |
| 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 300mA |
| 电压 - 集射极击穿(最大值) | 20V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 100mV @ 3mA,30mA |
| 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 820 @ 4ma,2V |
| 功率 - 最大值 | 300mW |
| 频率 - 跃迁 | 35MHz |
| 工作温度 | 150°C(TJ) |
| 安装方式 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
| 供应商器件封装 | SMT6 |
开关电源与适配器
电机驱动与变频器
新能源与车载功率
工业控制与配电
消费电子与家电
更多行业场景 · 定制选型 →选分立器件先看电压/电流额定、开关速度与封装散热,MOSFET/IGBT 关注 Rds(on) 与 Vgs,二极管关注反向耐压与恢复时间。
该型号当前按原装订货执行(订货 · 4-6 周),同时接受现货询价,客服可实时核对渠道库存;支持小批量起订,具体交期与数量以正式报价为准。
本页已收录 IMX25T110(双极晶体管阵列 / 分立半导体)的 12 项技术参数(含 晶体管类型 2 NPN(双)、电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 300mA、电压 - 集射极击穿(最大值) 20V)并附规格书下载;如仍缺少您关注的参数,可提供需求清单,客服按原厂规格书人工核对后回复。
订货型号订货 · 4-6 周(海外原厂渠道);紧缺或停产料视渠道情况 1–4 周不等,客服可协助跨渠道调货,以正式报价为准。
本页已列出同系列相近规格的替代物料:Rohm Semiconductor IMX1T110、Rohm Semiconductor IMX8T108、Nexperia USA Inc. PMBTA42DS,125、Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01F-GR(TE85L,F 等。也可联系客服按您的具体要求精准推荐。
主要规格包括 晶体管类型 2 NPN(双)、电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 300mA、电压 - 集射极击穿(最大值) 20V,详见本页参数表与规格书。
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