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注：库存与价格随原厂/渠道波动，本站展示为参考信息，实际以正式报价单为准。停产/紧缺料我们可协助全球渠道调货。
FMBM5551 是 onsemi 推出的 双极晶体管阵列（分立半导体 类），隶属于 - 系列。核心规格包括 晶体管类型 2 NPN（双）、电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 600mA、电压 - 集射极击穿（最大值） 160V、不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） 200mV @ 5mA，50mA。该器件常见于 开关电源与适配器、电机驱动与变频器 等应用场景，源庄电子提供该型号的原装现货 支持订货、小批量采购与 BOM 一键配单，紧缺或停产料可协助全球渠道调货。
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 600mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 160V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 50nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
| 功率 - 最大值 | 700mW |
| 频率 - 跃迁 | 300MHz |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装方式 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | SuperSOT™-6 |
开关电源与适配器
电机驱动与变频器
新能源与车载功率
工业控制与配电
消费电子与家电
更多行业场景 · 定制选型 →选分立器件先看电压/电流额定、开关速度与封装散热，MOSFET/IGBT 关注 Rds(on) 与 Vgs，二极管关注反向耐压与恢复时间。
该型号当前按原装订货执行（订货 · 4-6 周），同时接受现货询价，客服可实时核对渠道库存；支持小批量起订，具体交期与数量以正式报价为准。
本页已收录 FMBM5551（双极晶体管阵列 / 分立半导体）的 12 项技术参数（含 晶体管类型 2 NPN（双）、电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 600mA、电压 - 集射极击穿（最大值） 160V）并附规格书下载；如仍缺少您关注的参数，可提供需求清单，客服按原厂规格书人工核对后回复。
订货型号订货 · 4-6 周（海外原厂渠道）；紧缺或停产料视渠道情况 1–4 周不等，客服可协助跨渠道调货，以正式报价为准。
本页已列出同系列相近规格的替代物料：onsemi FMB5551、onsemi FMB2222A、Rohm Semiconductor QST9TR、Rohm Semiconductor QS6Z5TR 等。也可联系客服按您的具体要求精准推荐。
主要规格包括 晶体管类型 2 NPN（双）、电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 600mA、电压 - 集射极击穿（最大值） 160V，详见本页参数表与规格书。
稳定的海外现货与订货渠道，原装正品溯源，紧缺料号也能帮您想办法。
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