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注：库存与价格随原厂/渠道波动，本站展示为参考信息，实际以正式报价单为准。停产/紧缺料我们可协助全球渠道调货。
APT60GA60JD60 是 Microchip Technology 推出的 IGBT 模块（分立半导体 类），隶属于 POWER MOS 8™ 系列。核心规格包括 IGBT 类型 PT、配置 单路、电压 - 集射极击穿（最大值） 600 V、电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 112 A。该器件常见于 开关电源与适配器、电机驱动与变频器 等应用场景，源庄电子提供该型号的原装现货 支持订货、小批量采购与 BOM 一键配单，紧缺或停产料可协助全球渠道调货。
| IGBT 类型 | PT |
| 配置 | 单路 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 112 A |
| 功率 - 最大值 | 356 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.5V @ 15V，62A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 275 µA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies) | 8.01 nF @ 25 V |
| 输入 | 标准 |
| NTC 热敏电阻 | 无 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装方式 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商器件封装 | ISOTOP® |
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更多行业场景 · 定制选型 →选分立器件先看电压/电流额定、开关速度与封装散热，MOSFET/IGBT 关注 Rds(on) 与 Vgs，二极管关注反向耐压与恢复时间。
该型号当前按原装订货执行（订货 · 4-6 周），同时接受现货询价，客服可实时核对渠道库存；支持小批量起订，具体交期与数量以正式报价为准。
本页已收录 APT60GA60JD60（IGBT 模块 / 分立半导体）的 14 项技术参数（含 IGBT 类型 PT、配置 单路、电压 - 集射极击穿（最大值） 600 V）并附规格书下载；如仍缺少您关注的参数，可提供需求清单，客服按原厂规格书人工核对后回复。
订货型号订货 · 4-6 周（海外原厂渠道）；紧缺或停产料视渠道情况 1–4 周不等，客服可协助跨渠道调货，以正式报价为准。
本页已列出同系列相近规格的替代物料：IXYS IXXN100N60B3H1、IXYS IXGN72N60C3H1、Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT250SA60S、Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT90SA120U 等。也可联系客服按您的具体要求精准推荐。
主要规格包括 IGBT 类型 PT、配置 单路、电压 - 集射极击穿（最大值） 600 V，详见本页参数表与规格书。
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